LED發(fā)光原理

　　手提式LED防爆強(qiáng)光工作燈發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導(dǎo)體制成的，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性，即正向?qū)?，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復(fù)合而發(fā)光。

　　假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合外，還有些電子被非發(fā)光中心(這個(gè)中心介于導(dǎo)帶、介帶中間附近)捕獲，而后再與空穴復(fù)合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復(fù)合量相對(duì)于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大，光量子效率越高。由于復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。

　　參數(shù)的意義

　　(1)允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的*大值。超過此值，LED發(fā)熱、損壞。

　　(2)*大正向直流電流IFm：允許加的*大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。

　　(3)*大反向電壓VRm：所允許加的*大反向電壓。超過此值，發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。

　　(4)工作環(huán)境topm:發(fā)光二極管可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發(fā)光二極管將不能正常工作，效率大大降低。

　　現(xiàn)在發(fā)光二極管作為光源的強(qiáng)光手電筒已經(jīng)不斷的走進(jìn)我們的生活。隨著發(fā)展的LED二極管手電的出現(xiàn)到現(xiàn)在的手提式LED防爆強(qiáng)光工作燈，不斷的豐富大家的手電選擇。尤其是航空鋁合金的金屬手電的出現(xiàn)讓很多人心動(dòng)。